중국의 메모리 반도체 기술력 차이

중국이  내년부터 메모리를 양산할 경우를 생각해 봅니다.

1. 우선  지난 2015년말과 2016년 상반기를 생각해봅니다.

이 당시 삼성은 20나노 디램과 3D낸드를 독점 생산하면서 초호황을 누렸으나

하이닉스와 마이크론은   25나노와 29나노공정에서 헤매면서 수요자가 요구하는

물건을 못대는 바람에 재고가 늘어나는 상황에 봉착했습니다.

 지금도 도시바와 마이크론은 3D낸드 수율이 좋지 않은걸로 알려진 상태고

 그래서 3D낸드 물량을 적극적으로 늘리지 못하는 실정입니다.

 올해는 하이닉스가 3D낸드 분야에서는 생산량이 이 2업체를 능가할 겁니다.

2. 중국이 생산할 디램은 32나노대의 모바일디램으로 알려져 있습니다.

   현재 삼성은 18나노 디램 생산 시작했고( 전체 디램중 약 10%정도),

   하이닉스는 21나노 디램 양산중이고  2017년 하반기에 18나노 디램 생산에

   들어 갈 예정입니다.

 

 시노킹 70억달러투자->32나노 LPDDR 생산( 2018년 하반기)

 푸젠성 UMC  55억 달러 투자  ->  32나노 LPDDR (2018년 9월)

  YRST 장강스토리지 칭화,UMC -> 700억 달러 투자( 1차 2018년)

                                              2018년초 32단 3D낸드 생산예정

  생산해봐야  하이닉스와 삼성에는 지장이 없다.

 삼성과 하이닉스 수준의 디램을 생산할려면 최소 5년 이상의 시간이 필요.

  그래서 디램은 포기하고 낸드에 집중한다고 하는데   32단 낸드를 2018년 생산에

  들어가서,  2019년에 양산한다고 하는데

 현재  삼성은 64단 ,하이닉스는 48단 생산중이고  하반기에 72단 생산 예정.

3. HBM2

인텔은 지난 19일  인공지능 플랫폼용 CPU에 삼성과 하이닉스의

HBM2  4GB를 장착하여 공급할거라 발표했다.하이닉스는 2016년11월부터

인텔에 4GB HBM2 공급 시작.

 향후 모든 서버CPU에 HBM2 메모리를 장착해 공급할거라 했다.

 시스코도 고성능컴퓨팅및 서버시스템에 HBM2를 사용 준비중.

 중국이 이 기술을 따라오려면 최소 5년 이상은 걸린다 보는게 정답입니다.

4.21나노 '8GB LPDDR4X' 모바일 디램 출시

  삼성은 2016년 10월  10나노급  '8GB LPDDR4' 생산했으나

  이번 봄에 출시될 갤럭시S8에 장착될 8GB 디램에 하이닉스  8GB 사용 여부를

   고민중이라는 썰이 있습니다. 이건 DRAMEXCHANGE에 나온 기사입니다.

  하이닉스 8GB가 삼성보다( 크기 15mm x 15mm) 작은 12mm x 12mm이고

  전력 소모량도 20% 적다고 합니다.

  하이닉스 8GB는 봄에 출시될 플래그십 스마트폰에 대량 채택될 예정이라 합니다

디램이나 낸드같은 메모리 반도체는 컴퓨터나 서버,스마트폰 ,자율주행차등 완제품에

들어가는 부품입니다.  아무리 중국이 자국 생산 메모리반도체를 사용하고 싶어도

그런 부품을 사용한 완제품을 누가 사용하려고 할까요?

예를들어 자율주행차는 주행할 때 360도로 데이터를 주고 받으며 달리는데

갑자기 돌발 상황이 발생했을 때 속도가 느린 중국 부품을 사용했을 경우는

곧바로 사고로 이어집니다.  사용 불가입니다.

결국에 중국 생산업체는 판매 부진으로 망하게됩니다.